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BC847BWT1

CASE 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BC847BWT1

General Purpose Transistors(NPN Silicon)

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847BWT1

General Purpose Transistors(NPN Silicon)

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

BC847BWT1G

General Purpose Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BC847BWT1G

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

LBC847BWT1

GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

LBC847BWT1G

GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

LBC847BWT1G

GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

SBC847BWT1G

GeneralPurposeTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC847BWT1

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠原裝
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SOT-323
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更多BC847BWT1供應(yīng)商 更新時間2025-1-15 10:31:00

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