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BC847U	文件：86.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions ?Generalpurposeapplication ?Switchingapplication Features ?Highvoltage:VCEO=45V ?ComplementarypairwithBC857U	AUK AUK corp	AUK
BC847U	文件：268.34 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions ?Generalpurposeapplication ?Switchingapplication Features ?Highvoltage:VCEO=45V ?ComplementarypairwithBC857U	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
BC847U	文件：268.34 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
BC847U	文件：290.07 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC847UF	文件：87.17 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions ?Generalpurposeapplication ?Switchingapplication Features ?Highvoltage:VCEO=45V ?ComplementarypairwithBC857UF	AUK AUK corp	AUK
BC847UF	文件：179.63 Kbytes Page：3 Pages	Generalpurposeapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
BC847W	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847W	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC847W	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC847W	文件：251.07 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?HighVoltage:BC846WVCEO=65V. ?ForComplementaryWithPNPTypeBC856W/857W/858W.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
BC847W	文件：50.18 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847W	文件：133.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ForAFinputstagesanddriverapplications. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC847W	文件：99.12 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC847W	文件：96.95 Kbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinsmallplasticpackages. Features ■Lowcurrent ■Lowvoltage ■Threedifferentgainselections Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC847W	文件：50.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BC847W	文件：260.269 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC847W	文件：349.54 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
BC847W	文件：130.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BC847W	文件：1.05781 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BC847W	文件：229.52 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BC847-T
功能描述：
兩極晶體管 - BJT NPN 0.1A 45V Gen Pur
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BC847-T供應(yīng)商更新時間2025-1-14 19:00:00

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