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BC640BU	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640G	文件：65.81 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistors PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC640PNP	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HighCurrentTransistor	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC640TA	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications SwitchingandAmplifierApplications ?ComplementtoBC639	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640TA	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640-TA	文件：721.21 Kbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Highcurrenttransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
BC640TAR	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640TF	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC640TFR	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BD640CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BD640CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
BD640CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?F	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BD640CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
BFP640	文件：272.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：1.36937 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.88251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BC640 T/R
功能描述：
兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BC640-016	ON	24+	TO92GP	6000		詢價
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	BC640-016	ON	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	BC640-016	ON	22+23+	N/A	22888	絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	BC640-016	ONSEMICONDUCTOR	21+		35200	一級代理/放心采購	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	BC640-016G	ON	23+	TO-92	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	BC640-016G	ON	23+	TO92	7635	全新原裝優(yōu)勢	詢價
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深圳市納立科技有限公司	BC640-016G		三年內(nèi)		1983	納立只做原裝正品13590203865	詢價

更多BC640 T/R供應(yīng)商更新時間2024-11-18 16:30:00

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