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BB639C	文件：40.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Variable Capacitance Diode (For tuning of extended frequency band in VHF TV / VTR tuners) SiliconVariableCapacitanceDiode ?FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BB639C	文件：405.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Variable Capacitance Diode SiliconVariableCapacitanceDiode ?FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners ?Highcapacitanceratio ?Lowseriesinductance ?Lowseriesresistance ?Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?Qu	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BB639C	文件：88.99 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Variable Capacitance Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BB639C_07	文件：88.99 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Variable Capacitance Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BB639CE7904HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-76，SOD-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 可變電容（變?nèi)萜?，可變電抗器?描述：DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BB639CE7908HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-76，SOD-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 可變電容（變?nèi)萜?，可變電抗器?描述：DIODE VARIABLE 30V 20MA SOD-323	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC639	文件：97.76 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor MediumPowerTransistorsforaudioandvideoamplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
BC639	文件：880.65 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrenttransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
BC639	文件：161.15 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Generaldescription NPNmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■Low-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC639	文件：175.17 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor MediumPowerTransistors fordriverstagesofaudio/videoamplifiers	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC639	文件：120.3 Kbytes Page：2 Pages	NPNTypePlasticEncapsulatedTransistor FEATURE Highcurrenttransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC639	文件：161.15 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Generaldescription NPNmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■Low-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC639	文件：66.58 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistors NPNSilicon Features ?ThesearePb?FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC639	文件：55.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR SwitchingandAmplifierApplications ?ComplementtoBC636/638/640	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC639	文件：126.58 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrent) NPNSiliconAFTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC636,BC638,BC640(PNP)	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BC639	文件：43.78 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplements:BC636,BC638andBC640. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesofaudio/videoamplifiers.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC639	文件：116.59 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistors NPNSilicon	Motorola Motorola, Inc	Motorola
BC639	文件：184.61 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC639	文件：25.67 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 1Ampcontinuouscurrent Ptot=800mW	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BC639	文件：54.83 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor MediumPowerTransistors fordriverstagesofaudio/videoamplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BB639C
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon Variable Capacitance Diode

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BB639C	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	11048	原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	BB639C	Infineon/英飛凌	24+	SOD323	163000	一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市特萊科技有限公司	BB639C	INFINEON/英飛凌	21+23+	SOD323	30000	16年電子元件現(xiàn)貨供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	BB639C	lnfineon	24+	SOD-323	2200	原裝正品,假一罰十!	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	BB639C	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	BB639C	INFINEON	23+	SOD323	7936		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BB639C	INFINEON	24+	SOD-3230805	48200	新進(jìn)庫(kù)存/原裝	詢價(jià)
深圳市榮澤信電子科技有限公司	BB639C		23+	SMD	2800	全新原裝深圳現(xiàn)貨庫(kù)存,特價(jià)·	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BB639C	SIEMENS	16+	O805	18000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	BB639C	INFINEON	23+	SOD323	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)

更多BB639C供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 22:59:00

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