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BAS116T_1

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

DIODES

Diodes Incorporated

BAS116TT1G

Switching Diode

Features ?LowLeakageCurrentApplications ?MediumSpeedSwitchingTimes ?Availablein8mmTapeandReel ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BAS116T_15

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

DIODES

Diodes Incorporated

BAS116TT1

Switching Diode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BAS116TT1G

Switching Diode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BAS116T,115

Package：SC-75，SOT-416；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

BAS116TT1G

Package：SC-75，SOT-416；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BAS116T_1

  • 功能描述：

    二極管 - 通用，功率，開關(guān) Diode Std Recovery Rectifier 85V 0.215A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 產(chǎn)品：

    Switching Diodes

  • 峰值反向電壓：

    600 V

  • 正向連續(xù)電流：

    200 A

  • 最大浪涌電流：

    800 A

  • 恢復(fù)時間：

    2000 ns

  • 正向電壓下降：

    1.25 V

  • 最大反向漏泄電流：

    300 uA

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    ISOTOP

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BAS116T_1供應(yīng)商 更新時間2025-5-16 11:08:00

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