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B11G2327N70D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
B11G2327N70D |
| 參數(shù)屬性 | B11G2327N70D 封裝/外殼為36-QFN 裸焊盤；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：B11G2327N70DYZ/PQFN-12X7/REELDP |
| 功能描述 | LDMOS 2-stage integrated Doherty MMIC |
| 封裝外殼 | 36-QFN 裸焊盤 |
| 文件大小 |
1.18296 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
AMPLEON【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-12 17:25:00 |
| 人工找貨 | B11G2327N70D價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
B11G2327N70D規(guī)格書詳情
B11G2327N70D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的B11G2327N70D晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
The B11G2327N70D is a dual path 2-stage fully integrated Doherty MMIC solution using
Ampleon's state of the art LDMOS technology. The carrier and peaking device, input
splitter, output combiner and pre-match are integrated in a single package. This multiband
device is perfectly suited as general purpose driver in the frequency range 2300 MHz to
2700 MHz. Available in PQFN outline.
Features and benefits
? Integrated input splitter
? Integrated output combiner
? 20? output impedance thanks to integrated pre-match
? High linearity
? Designed for large RF and instantaneous bandwidth operation
? Independent control of carrier and peaking bias
? Integrated bias gate switch
? Integrated ESD protection
? Source impedance 50 ?; high power gain
? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
Applications
? Macrocell base station driver
? Microcell base station
? 5G mMIMO
? W-CDMA/LTE
? Active antenna
? General purpose applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
B11G2327N70DYZ
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
2.3GHz ~ 2.7GHz
- 增益：
30.3dB
- 額定電流（安培）：
1.4μA
- 封裝/外殼：
36-QFN 裸焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
36-PQFN（12x7）
- 描述：
B11G2327N70DYZ/PQFN-12X7/REELDP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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