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AUIRG4BC30U-S	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?IndustrystandardD2Pak&TO-262package ?Lead-Free,RoHSCompliant ?AutomotiveQualified* Benefits ?TypicalApplications:SMPS,PFC	IRF International Rectifier	IRF
AUIRG4BC30U-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRG4BC30U-SL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?IndustrystandardD2Pak&TO-262package ?Lead-Free,RoHSCompliant ?AutomotiveQualified* Benefits ?TypicalApplications:SMPS,PFC	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30KD	文件：196.13 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：139.38 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：137.95 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Generation4IGBTsoff	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Generation4IGBTsoff	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FDPBF	文件：3.17753 Mbytes Page：11 Pages	FastCoPack1GBT(VCES=600V,VCE(on)typ.=1.59V,VGE=15V,IC=17A) FastCoPackIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythan	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FDPBF	文件：397.06 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD-S	文件：1.25649 Mbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultral	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.17757 Mbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra	IRF International Rectifier	IRF

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
AUIRG4BC30U-S
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
開關(guān)能量：
360μJ
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
17ns/78ns
測試條件：
480V，12A，23 歐姆，15V
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司	AUIRG4BC30U-S	Infineon Technologies	23+	TO-263	13000	15年原裝正品企業(yè)	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	AUIRG4BC30U-S	IR	2016+	TO-263	6528	房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	AUIRG4BC30U-S	IR	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市達恩科技有限公司	AUIRG4BC30U-S	Infineon	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價
深圳市華來深電子有限公司	AUIRG4BC30U-S	IR	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	AUIRG4BC30U-S	Infineon	1931+	N/A	493	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市百域芯科技有限公司	AUIRG4BC30U-S	IR	21+	TO-263	30000	百域芯優(yōu)勢實單必成可開13點增值稅	詢價
深圳市科雨電子有限公司	AUIRG4BC30U-S	INFINEON	1809+	TO-263	1675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市保之豐科技有限公司	AUIRG4BC30U-S	IR	21+	TO-263	15500		詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	AUIRG4BC30U-S	IR	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價

更多AUIRG4BC30U-S供應(yīng)商更新時間2024-10-26 15:00:00

產(chǎn)品屬性

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