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AUIRFS3806	文件：276.62 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFS3806	文件：743.39 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRFS3806TRL	文件：276.62 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFS3806TRL	文件：743.39 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRFS3806TRR	文件：276.62 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AZ3806	文件：677.11 Kbytes Page：21 Pages	QL(AZ4)MicroLimitSwitch FEATURES 1.Subminiaturedesign Thesizeoftheactualunitisapproximately 1/10inthecaseoftheplunger modelandapproximately1/6.5inthe caseofthearmmodel,thatofthevertical typelimitswitch. Large-scaleminiaturizationhasbeen achieved.Idealforminiaturizedmachinery	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
EPA3806GE	文件：41.4 Kbytes Page：1 Pages	MiniatureSurfaceMountTransformer	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
IIRFB3806	文件：339.33 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFR3806	文件：335.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB3806	文件：339.33 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB3806PBF	文件：564.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3806PBF	文件：570.25 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3806	文件：335.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR3806	文件：1.3313 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3806	文件：536.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)15.8m(VGS=10V) Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA *EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR3806	文件：504.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR3806PBF	文件：506.56 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3806PBF	文件：512.159 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3806TR	文件：536.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)15.8m(VGS=10V) Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA *EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR3806TR	文件：504.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AUIRFS3806
功能描述：
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	AUIRFS3806	InfineonTechnologies	18+	TO-263	13000	100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司	AUIRFS3806	Infineon Technologies	23+	TO-263	13000	15年原裝正品企業(yè)	詢價(jià)
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