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AUIRFL024N	文件：190.25 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance V(BR)DSS55V RDS(on)max.75mΩ ID2.8A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwiththefastswitchings	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFL024N	文件：213.71 Kbytes Page：11 Pages	Low On-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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AUIRFR024N	文件：489.66 Kbytes Page：11 Pages	LowOn-Resistance	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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AUIRLL024N	文件：243.46 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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AUIRLL024Z	文件：679.72 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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AUIRLR024N	文件：328.44 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-ResistanceFullyAvalancheRated Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
AUIRFL024N
功能描述：
MOSFET Automotive MOSFET 55V, 2.8A, 75 mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多AUIRFL024N供應(yīng)商更新時間2024-10-26 15:00:00

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