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B112	文件：189.87 Kbytes Page：2 Pages	1WATTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
B112LP	文件：53.22 Kbytes Page：2 Pages	IonizationDetector	GAMEWELL-FCI Gamewell-FCI by Honeywell	GAMEWELL-FCI
B112LP	文件：70.55 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inDetectorBase	SYSTEMSENSOR Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
BB112	文件：41.52 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForAMtuningapplicationsSpecifiedtuningrange1??8.0V) SiliconVariableCapacitanceDiode ●ForAMtuningapplications ●Specifiedtuningrange1…8.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCL-112	文件：179.22 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,Un-PlatedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-112	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-112-PL	文件：179.32 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,PlatedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-112-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCR112	文件：35.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=4.7k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR112	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR112	文件：120.53 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR112	文件：841.95 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR112F	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BCR112U	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR112W	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BCR112W	文件：34.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=4.7k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS

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晶體管資料

型號：
AU112
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Ge-PNP
性質(zhì)：
電視（TV）_行輸出（HA）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
320V
最大電流允許值：
10A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
AU107,2N5324,2N5325,
最大耗散功率：
5W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
E-44
vtest：
320
htest：
999900
atest：
10
wtest：
5

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多AU112供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 11:10:00

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