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ATMEGA649V	文件：3.40174 Mbytes Page：375 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATmega329/3290/649/6490isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATmega329/3290/649/6490achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptim	AtmelAtmel Corporation 愛(ài)特梅爾愛(ài)特梅爾公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：3.40174 Mbytes Page：375 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash	AtmelAtmel Corporation 愛(ài)特梅爾愛(ài)特梅爾公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：329.41 Kbytes Page：28 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATmega329/3290/649/6490isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATmega329/3290/649/6490achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptim	AtmelAtmel Corporation 愛(ài)特梅爾愛(ài)特梅爾公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：783.73 Kbytes Page：29 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash	AtmelAtmel Corporation 愛(ài)特梅爾愛(ài)特梅爾公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：6.8528 Mbytes Page：392 Pages	HighEnduranceNon-volatileMemorySegments	AtmelAtmel Corporation 愛(ài)特梅爾愛(ài)特梅爾公司	Atmel
B649	文件：4.21523 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Poweramplifierapplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
B649A	文件：4.21523 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Poweramplifierapplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
BD649	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
BD649	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD649	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Ltd 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BD649	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD649	文件：108.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A ?LowSaturationVoltage ?ComplementtoTypeBD650 APPLICATIONS ?DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD649	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Ltd 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
BD649	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
BD649	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD649	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistors Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BD649F	文件：278.82 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD649-S	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns

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深圳市高捷芯城科技有限公司	ATMEGA649P-MU	MICROCHIP(美國(guó)微芯)	23+	QFN-64-EP(9x9)	1090	深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。	詢價(jià)
深圳市諾美思科技有限公司	ATMEGA649P-MU	Microchip Technology	2年內(nèi)批號(hào)	64-VFQFN 裸露焊盤(pán)	4800	只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	ATMEGA649P-MU	Microchip Technology / Atmel	20+	VQFN-64	29860	Microchip微控制器MCU-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	ATMEGA649P-MU	Microchip Technology	20+	64-QFN(9x9)	600000	原裝正品,現(xiàn)貨通路商	詢價(jià)
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更多ATMEGA649P-MU供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-24 15:28:00

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