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ATF-531P8分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

ATF-531P8
廠商型號(hào)

ATF-531P8

參數(shù)屬性

ATF-531P8 封裝/外殼為8-WFDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

功能描述

High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in 2x2 mm LPCC Package

封裝外殼

8-WFDFN 裸露焊盤

文件大小

142.29 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Agilent(Hewlett-Packard)
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HP安捷倫科技

中文名稱

安捷倫科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-31 16:10:00

ATF-531P8規(guī)格書詳情

Description

Agilent Technologies’s ATF-531P8 is a single-voltage high linearity, low noise E-pHEMT housed in an 8-lead JEDEC-standard leadless plastic chip carrier (LPCC [3]) package. The device is ideal as a high linearity, low-noise, medium-power amplifier. Its operating frequency range is from 50 MHz to 6 GHz.

Features

? Single voltage operation

? High linearity and gain

? Low noise figure

? Excellent uniformity in product specifications

? Small package size: 2.0 x 2.0 x 0.75 mm

? Point MTTF > 300 years [2]

? MSL-1 and lead-free

? Tape-and-reel packaging option available

Specifications

2 GHz; 4V, 135 mA (Typ.)

? 38 dBm output IP3

? 0.6 dB noise figure

? 20 dB gain

? 10.7 dB LFOM [4]

? 24.5 dBm output power at 1 dB gain compression

Applications

? Front-end LNA Q1 and Q2 driver or pre-driver amplifier for Cellular/ PCS and WCDMA wireless infrastructure

? Driver amplifier for WLAN, WLL/RLL and MMDS applications

? General purpose discrete E-pHEMT for other high linearity applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ATF-531P8-TR1

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    E-pHEMT

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    20dB

  • 額定電流(安培):

    300mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.6dB

  • 功率 - 輸出:

    24.5dBm

  • 封裝/外殼:

    8-WFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-LPCC(2x2)

  • 描述:

    FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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