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AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307Z	文件：683.76 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRFR2307Z	文件：4.0903 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	UltraLowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
AUIRFR2307Z	文件：4.111229 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307ZTR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307ZTRL	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307ZTRR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
BC2307	文件：1.37643 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
CDK2307	文件：1.19338 Mbytes Page：16 Pages	Dual,20/40/65/80MSPS,12/13-bitAnalog-to-DigitalConverters	CADEKA Cadeka Microcircuits LLC.	CADEKA
CDK2307	文件：908.71 Kbytes Page：16 Pages	Dual,20/40/65/80MSPS,12/13-bitAnalog-to-DigitalConverters	EXARExar Corporation 艾科嘉艾科嘉（杭州）信息技術(shù)有限公司	EXAR
CEN2307A	文件：649.55 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307B	文件：485.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307BB	文件：536.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2307	文件：408.44 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2307	文件：1.05094 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CES2307A	文件：430.27 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2307A	文件：610.2 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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綠盛電子(香港)有限公司	ASM2307M/TR-LF	A1SEMI	2015+	SOT23-3	29898	專業(yè)代理MOS管,型號(hào)齊全,公司優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品	詢價(jià)
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更多ASM2307M/TR-LF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 9:00:00

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