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AQY410EH	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQY410EH	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
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AQY410EHAX	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQY410EHAX	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY410EHAZ	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQY410EHAZ	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY410SX	文件：45.73 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)TypeSOPSeries1-Channel(FormB)4-PinType	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQY410SZ	文件：45.73 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)TypeSOPSeries1-Channel(FormB)4-PinType	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AT-410	文件：85.41 Kbytes Page：3 Pages	FixedAttenuators(N,BNC,TNC)	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會(huì)社	HIROSE
AT-410(40)	文件：1.18736 Mbytes Page：12 Pages	50ohmswidevarietiesstandardconnectors	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會(huì)社	HIROSE
ATN410	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商	ETC1
BCL-410	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-410-PL	文件：178.96 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor4AWGWire,StudSize10,Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-410-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCR410	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100μAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410W	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100μAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410W	文件：170.88 Kbytes Page：6 Pages	ActiveBiasController	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BD410	文件：123.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR TO-126 PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AQW410SX
功能描述：
固態(tài)繼電器-PCB安裝 RELAY OPTO DPST-NC 100MA 8SOP
RoHS：
否
制造商：
Omron Electronics
負(fù)載電壓額定值：
40 V
負(fù)載電流額定值：
120 mA
觸點(diǎn)形式：
1 Form A(SPST-NO)
輸出設(shè)備：
MOSFET
封裝/箱體：
USOP-4
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	AQW410SX	panasoni	專(zhuān)業(yè)光耦	SOP8	65800	光耦原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市信佳源電子有限公司	AQW412	NAIS	12+	DIPSOP	18346	原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	AQW412EHA-AQW412EH	PAN	23+	DIP8-SOP8	3526	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳	詢(xún)價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	AQW414	NAIS			200	原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)	詢(xún)價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	AQW414		24+	DIP-8	17		詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	AQW414	NAIS	09+	DIP8	4411	只售全新原裝貨真實(shí)現(xiàn)貨放心查詢(xún)	詢(xún)價(jià)
深圳市錦達(dá)世紀(jì)科技有限公司	AQW414	NAIS	06+	DIP8	2000		詢(xún)價(jià)
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深圳市勤思達(dá)科技有限公司	AQW414	NAIS	10+	DIP8	7800	全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售	詢(xún)價(jià)

更多AQW410SX供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 14:13:00

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