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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AQV414AZ	文件：76.22 Kbytes Page：3 Pages	Normally closed 6-pin type of 400V load voltage Measuring instruments FEATURES 1.Lowon-resistance(typ.26?)fornormally-closedtype Thishasbeenachievedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(DoublediffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSfeatureextremelylowclosedcircuit	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQV414AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-SMD（0.300"，7.62mm）；包裝：管件類別：繼電器固態(tài)繼電器描述：SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V	Panasonic Electric Works Panasonic Electric Works	Panasonic Electric Works
AQV414AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-SMD（0.300"，7.62mm）；包裝：散裝類別：繼電器固態(tài)繼電器描述：SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V	Panasonic Electric Works Panasonic Electric Works	Panasonic Electric Works
AQV414E	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EA	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EAX	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EAZ	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EH	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EHA	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EHAX	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機電(中國)有限公司	NAIS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
AQV414AZ
制造商：
Panasonic Electric Works
類別：
繼電器 > 固態(tài)繼電器
系列：
PhotoMOS? AQV
包裝：
管件
安裝類型：
表面貼裝型
電路：
DPST-NC（2 Form B）
輸出類型：
AC，DC
電壓 - 輸入：
1.14VDC
端接樣式：
鷗翼
封裝/外殼：
6-SMD（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商器件封裝：
6-SMD
描述：
SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	AQV414AZ	Panisonic松下	24+		5000		詢價
深圳市錦達世紀科技有限公司	AQV414AZ	NAIS	06+	SOP6	2000		詢價
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更多AQV414AZ供應(yīng)商更新時間2025-2-27 16:30:00

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