首頁(yè)>APTGV50H120T3G>詳情

APTGV50H120T3G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 MICROSEMI/美高森美

APTGV50H120T3G參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：APTGV50H120T3G品牌：Microsemi Corporation

原裝正品，支持實(shí)單

APTGV50H120T3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝SP3的APTGV50H120T3G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    APTGV50H120T3G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    372 kb

  • 資料說明：

    Full - Bridge NPT & Trench Field Stop? IGBT Power module

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APTGV50H120T3G

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    NPT，溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置：

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SP3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SP3

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周小姐

  • 手機(jī)：

    13570897296

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-28018831

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)民治街道金地梅龍鎮(zhèn)2棟3單元8C

相近型號(hào)