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APTGV25H120BG分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

APTGV25H120BG
廠商型號

APTGV25H120BG

參數(shù)屬性

APTGV25H120BG 封裝/外殼為SP4;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP4

功能描述

Boost chopper Full - Bridge NPT & Trench Field Stop IGBT Power module
IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP4

封裝外殼

SP4

文件大小

452.12 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-17 10:30:00

APTGV25H120BG規(guī)格書詳情

APTGV25H120BG屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APTGV25H120BG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    APTGV25H120BG

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    NPT,溝槽型場截止

  • 配置:

    升壓斬波器,全橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,25A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SP4

  • 供應商器件封裝:

    SP4

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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