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APTGT30DSK60T3G分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

APTGT30DSK60T3G
廠商型號

APTGT30DSK60T3G

參數屬性

APTGT30DSK60T3G 封裝/外殼為SP3;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3

功能描述

Dual Buck chopper Trench Field Stop IGBT Power Module
IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3

封裝外殼

SP3

文件大小

264.32 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 17:29:00

APTGT30DSK60T3G規(guī)格書詳情

APTGT30DSK60T3G屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由美高森美公司制造生產的APTGT30DSK60T3G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    APTGT30DSK60T3G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    雙路降壓斬波器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SP3

  • 供應商器件封裝:

    SP3

  • 描述:

    IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3

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