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BTD2012FP

LowVcesatNPNEpitaxialPlanarTransistor

Features ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage,typicallyVCE(SAT)=0.25VatIC/IB=2A/0.2A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?Highallowablepowerdissipation,PD=25W(TC=25℃) ?Largecurrentcapability ?Pb-freepackage Applications ?DC-DCconverter,relaydrivers,l

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BURNDY_YF2012ID

ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,20AWG,0.71L,TinPlated,Gray,ForuseonCuCond.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

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更多APTD2012LVBC-D供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 14:16:00

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