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APT8030B2VFR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

APT8030B2VFR
廠商型號(hào)

APT8030B2VFR

功能描述

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

文件大小

60.6 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-28 20:00:00

APT8030B2VFR規(guī)格書詳情

Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

? Fast Recovery Body Diode

? 100 Avalanche Tested

? Lower Leakage

? New T-MAX? Package

(Clip-mounted TO-247 Package)

? Faster Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    APT8030B2VFR

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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58000
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TO-247
7300
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