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APT6030BVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

POWERMOSV?MOSFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.

ADPOW

Advanced Power Technology

APT6030BVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

POWERMOSV?MOSFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.

ADPOW

Advanced Power Technology

APT6030BVR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT6030DN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmodep

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT6030SVFR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

ADPOW

Advanced Power Technology

APT6030SVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

POWERMOSV?MOSFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.

ADPOW

Advanced Power Technology

ASITPV6030

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASITPV6030isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: ?CommonEmitter ?PG=9.5dBat35W/860MHz ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

ATFN6030A

CrystalFilter

CTSCTS Electronic Components

西迪斯西迪斯公司

BD6030GSW

NegativepowersupplyforCCDcameraofmobilephones

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

C6030

Ultra-compactIndustrialPC

BECKHOFFBeckhoff Automation GmbH & Co. KG

倍福自動(dòng)化

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    APT6030BVFRG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 21A TO-247

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    POWER MOS V®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多APT6030BVFRG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:57:00

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