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APT50GN60BDQ2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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  • 廠家型號(hào)：

    APT50GN60BDQ2G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MICROSEMI/美高森美

  • 庫存數(shù)量：

    114

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    1942+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-18 10:18:00

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原廠料號(hào)：APT50GN60BDQ2G品牌：Microsemi

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  • 芯片型號(hào)：

    APT50GN60BDQ2G

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    162.86 kb

  • 資料說明：

    Resonant Mode Combi IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT50GN60BDQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1185μJ（開），1565μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    20ns/230ns

  • 測試條件：

    400V，50A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 107A 366W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市艾宇欣科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    137-5109-0307

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    137-5109-0307/0755-83946758

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)梅林街道上梅社區(qū)上梅林新村30號(hào)403

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