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APT30GS60BRDQ2G中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
APT30GS60BRDQ2G |
參數(shù)屬性 | APT30GS60BRDQ2G 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 54A 250W SOT227 |
功能描述 | Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode |
文件大小 |
594.99 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-10-27 16:30:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
APT30GS60BRDQ2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Thunderbolt IGBT?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.15V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
570μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
16ns/360ns
- 測(cè)試條件:
400V,30A,9.1 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247 [B]
- 描述:
IGBT 600V 54A 250W SOT227
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
8866 |
詢價(jià) | ||||
APT |
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APT |
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TO-247 |
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APT |
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TO-247 |
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