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APT30GS60BRDQ2G中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

APT30GS60BRDQ2G
廠商型號(hào)

APT30GS60BRDQ2G

參數(shù)屬性

APT30GS60BRDQ2G 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 54A 250W SOT227

功能描述

Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode

文件大小

594.99 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-10-27 16:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT30GS60BRDQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Thunderbolt IGBT?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.15V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    570μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    16ns/360ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,30A,9.1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 54A 250W SOT227

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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