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AP83T02GJ-HF	文件：103.45 Kbytes Page：4 Pages	Low On-resistance, Simple Drive Requirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼LowOn-resistance ▼SimpleDriveRequirement ▼FastSwitchingCharacteristic ▼RoHSCompliant&Halo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP83T02GJ-HF	文件：102.25 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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83T02GJ-HF	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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詳細參數(shù)

型號：
AP83T02GJ
制造商：
A-POWER
制造商全稱：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
Low On-resistance, Simple Drive Requirement

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