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AP2306AGN	文件：73.23 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306AGN	文件：1.02675 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AP2306AGN-HF	文件：112.51 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageiswidelyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Low	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306AGN-HF_14	文件：112.51 Kbytes Page：5 Pages	Lower on-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306AGN-HF_16	文件：101.41 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Package	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306CGN-HF	文件：99.18 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5Vgatedrive,Loweron-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306CGTN-HF	文件：102.07 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,LowerOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306GN	文件：72.9 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Low	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306GN	文件：1.035589 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AP2306GN-HF	文件：105.88 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5Vgatedrive,Loweron-resistance Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageiswidelyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Loweron	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306N	文件：72.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
AP2306N	文件：1.03553 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
APM2306	文件：172.35 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?30V/3.5A, RDS(ON)=70m?(typ.)@VGS=5V RDS(ON)=42m?(typ.)@VGS=10V ?SuperHighDenseCellDesign ?HighPowerandCurrentHandlingCapability ?SOT-23Package Applications ?SwitchingRegulators ?SwitchingConverters	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
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AT-2306	文件：221.61 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會(huì)社	HIROSE

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AP2306AGN
制造商：
A-POWER
制造商全稱：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多AP2306AGN供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-24 16:00:00

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