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AP01N60J	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforAC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP01N60J)isavailableforlow-profileapplications. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSw	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP01N60J-HF	文件：100.39 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristics	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP01N60P	文件：60.29 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSwitching SimpleDriveRequir	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
CJD01N60	文件：676.61 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N60	文件：451.23 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N60	文件：1.52187 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CJV01N60	文件：623.75 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CMT01N60	文件：189.23 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
CMT01N60	文件：259.17 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CMT01N60	文件：288.4 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
FTN01N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GE01N60	文件：294.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Features *Dynami	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GE01N60	文件：297.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GI01N60	文件：288.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
GI01N60	文件：237.94 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GJ01N60	文件：238.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGJ01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsand suitedforAC/DCconverters. Features Dynamicdv/dtRating SimpleDriveRequir	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM01N60D/U	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
H01N60	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60I	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60J	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC

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詳細參數(shù)

型號：
AP01N60J
制造商：
A-POWER
制造商全稱：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	AP01N60J	APEC	16+	你問我	10000	只說一遍APEC富鼎正規(guī)授權(quán)代理證件齊全進口原裝假一罰	詢價
深圳市粵科源興科技有限公司	AP01N60J	APEC	13+	NA	19238	原裝分銷	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	AP01N60J	SR	23+	TO-251	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市勤思達科技有限公司	AP01N60J	APEC	12+	TO-251	15000	全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價
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深圳市維爾達電子有限公司	AP01N60J	AP	2023+	TO251	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
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更多AP01N60J供應(yīng)商更新時間2025-1-13 16:00:00

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