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AOZ8882	文件：297.15 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Low Capacitance TVS Diode Array	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOZ8882DI-05	文件：297.15 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Low Capacitance TVS Diode Array	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOZ8882DI-05	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：6-UFDFN 類別：電路保護 TVS - 二極管描述：TVS DIODE 5VWM 18VC 6DFN	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
FDD8882	文件：352.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDD8882	文件：434.13 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelPowerTrench?MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FDS8882	文件：286.63 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench?MOSFET30V,9A,20.0m廓 GeneralDescription TheFDS8882hasbeendesignedtominimizelossesinpowerconversionapplication.AdvancementsinbothsiliconandpackagetechnologieshavebeencombinedtoofferthelowestrDS(on)whilemaintainingexcellentswitchingperformance. Features ?MaxrDS(on)=20.0m?at	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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MAX8882EUTAQ	文件：244.15 Kbytes Page：8 Pages	Dual,Low-Noise,Low-Dropout,160mALinearRegulatorsinSOT23	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
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S8882	文件：54.12 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPT/ISDN-PRITRANSFORMER	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
SPN8882	文件：239.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
SPN8882	文件：1.14374 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
STN8882D	文件：902.46 Kbytes Page：7 Pages	NChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION STN8882DistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorwhichisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.TheSTN8882DhasbeendesignedspeciallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswi	STANSON Stanson Technology	STANSON

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