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AOZ6186QT

Package：10-UFQFN；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 模擬開(kāi)關(guān) - 特殊用途 描述：IC USB 2.0 SWITCH DPDT 10QFN

Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

CEB6186

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,33A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEB6186A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,33A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED6186

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=38mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED6186A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,30.6A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM6186

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,8A,RDS(ON)=26mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEM6186

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,8A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM6186A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,8.1A,RDS(ON)=21mW@VGS=10V. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP6186

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,33A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP6186A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,33A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AOZ6186QT

  • 制造商：

    Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 模擬開(kāi)關(guān) - 特殊用途

  • 包裝：

    管件

  • 應(yīng)用：

    音頻，USB

  • 開(kāi)關(guān)電路：

    DPDT

  • 導(dǎo)通電阻（最大值）：

    10 歐姆

  • 電壓 -?電源，單 (V+)：

    1.65V ~ 4.5V

  • -3db 帶寬：

    960MHz

  • 特性：

    先斷開(kāi)后接通

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    10-UFQFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    10-QFN（1.8x1.4）

  • 描述：

    IC USB 2.0 SWITCH DPDT 10QFN

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
AOS
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更多AOZ6186QT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 13:57:00

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