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AOWF14N50

500V, 14A N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

CMT14N50

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司

CMT14N50

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司

CMT14N50

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

CMT14N50

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司

EMD14N50F

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS500V RDSON(MAX.)0.6Ω ID14A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

FIR14N50AFG

500VN-ChannelMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FIR14N50ANG

500VN-ChannelMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FIR14N50APG

500VN-ChannelMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FTP14N50C

N-ChannelEnhancement

InPowerProductLines

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

JCS14N50FT

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS14N50FT-O-F-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

MTW14N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTW14N50E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTW14N50E

TMOSPOWERFET14AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.40OHM

ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandPWMmo

Motorola

Motorola, Inc

PHW14N50E

PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated

VDSS=500V ID=14A RDS(ON)≤0.4? GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurpos

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SIHG14N50D

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHG14N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHP14N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHP14N50D

DSeriesPowerMOSFETs

FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaspecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-Of-Merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數

  • 型號:

    AOWF14N50

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 500V 14A TO262F

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Alpha & Omega Semiconductor In
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TO-262F
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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AOS/萬代
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TO-262F
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專業(yè)直銷原裝AOS一系列可訂貨
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AOS
TO-262F
20000
原裝正品
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AOS
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TO-262F-3
55000
原裝正品現貨假一賠十
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AOS/萬代
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TO-262F
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原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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更多AOWF14N50供應商 更新時間2024-10-24 20:37:00