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AOT25S65L中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AOT25S65L
廠商型號(hào)

AOT25S65L
功能描述

650V 25A a MOS TM Power Transistor
文件大小

317.38 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD【萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體】

中文名稱

美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 16:42:00
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AOT25S65L規(guī)格書詳情

General Description

The AOT25S65 & AOB25S65 & AOTF25S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

VDS @ Tj,max 750V

IDM 104A

RDS(ON),max 0.19?

Qg,typ 26.4nC

Eoss @ 400V 5.8μC

100 UIS Tested

100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    AOT25S65L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 25A TO220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    aMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
AOS
TO-220
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
Alpha & Omega Semiconductor In
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TO2203
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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AOS/萬(wàn)代
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NA/
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AOS美國(guó)萬(wàn)代
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Alpha & Omega Semiconductor In
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TO2203
9000
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Alpha & Omega Semiconductor In
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TO-220
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
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