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APT1001RSVR	文件：71.22 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RSVR	文件：76 Kbytes Page：4 Pages	100AvalancheTested PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT1001RSVRG	文件：76 Kbytes Page：4 Pages	100AvalancheTested PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ARJ-1001	文件：628.88 Kbytes Page：2 Pages	GIGABITRJ45LANMAGNETIC	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
ASH1001	文件：576.87 Kbytes Page：1 Pages	10mmwideIP67&IP68LEDlightstrip	OPTOSUPPLY OptoSupply International	OPTOSUPPLY
ASI1001	文件：18.25 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI1001isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto1500MHz. FEATURES: ?PG=12dBmin.at1.0W/1,000MHz ?HermeticMicrostripPackage ?Omnigold?MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT-1001	文件：48.95 Kbytes Page：2 Pages	HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) ■Features 1.SmallSizeandEconomical Berylliaisusedforthematerialoftheresistanceelementtoenabletheterminationtobeofsmallsizeandlowcost. 2.ConnectorsUsed Inthecouplingportion,theAT-1000SerieshasanSMAt	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機株式會社	HIROSE
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