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AON4703中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AON4703
廠商型號(hào)

AON4703

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

文件大小

165.09 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-18 19:00:00

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AON4703規(guī)格書詳情

General Description

The AON4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Standard Product AON4703 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AON4703L is a Green Product ordering option. AON4703 and AON4703L are electrically identical.

Features

VDS (V) = -20V

ID = -3.4A (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 90m? (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 120m? (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

SCHOTTKY

VKA (V) = 20V, IF = 1A, VF

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AON4703

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -20V -3.4A 8-DFN

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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