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AOD403中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOD403
廠商型號

AOD403
功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
絲印標識

D403
封裝外殼

TO252
文件大小

153.83 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD【萬國半導體】

中文名稱

美國萬國半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-4 14:18:00

AOD403規(guī)格書詳情

General Description

The AOD403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Standard Product AOD403 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD403L is a Green Product ordering option. AOD403 and AOD403L are electrically identical

Features

VDS (V) = -30V

ID = -85A (VGS = -20V)

RDS(ON) < 6m? (VGS = -20V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    AOD403

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH -30V -85A TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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