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AO6402A中文資料萬國半導體數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

AO6402A
廠商型號

AO6402A

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

絲印標識

42**

封裝外殼

SOT-26

文件大小

279.45 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導體

中文名稱

美國萬國半導體官網

原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-3-23 13:00:00

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AO6402A規(guī)格書詳情

General Description

The AO6402A/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance.

AO6402A and AO6402AL are electrically identical.

-RoHS Compliant

-AO6402AL is Halogen Free

Features

VDS (V) = 30V

ID = 7A (V GS = 10V)

RDS(ON) < 27m? (VGS = 10V)

RDS(ON)

產品屬性

  • 型號:

    AO6402A

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 7A 6-TSOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AOS
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網
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23+
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原裝正品
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AOS/萬代
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