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AO5803E中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AO5803E
廠商型號(hào)

AO5803E

功能描述

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

117.19 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

中文名稱

美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 23:00:00

AO5803E規(guī)格書詳情

General Description

The AO5803E/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 1.8V, in the small SC89-6L footprint. It can be used as load switching, and wide variety of FET applications. AO5803E and AO5803EL are electrically identical.

-RoHS compliant

-AO5803EL is Halogen Free

Features

VDS (V) = -20V

ID = -0.6A (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 0.8? (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 1.0? (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

ESD PROTECTED

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO5803E

  • 功能描述:

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ADI(亞德諾)
23+
SC896
7350
原裝進(jìn)口,原廠直銷!當(dāng)天可交貨,支持原型號(hào)開票!
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AOS
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SC89-6
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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SC89-6
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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AOS/萬(wàn)代
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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