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AO4612中文資料科信電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4612
廠商型號

AO4612

功能描述

Complementary Trench MOSFET

文件大小

2.54125 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

KEXIN科信電子

中文名稱

廣東科信實(shí)業(yè)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-12-25 14:57:00

AO4612規(guī)格書詳情

■ Features

● N-Channel :

VDS (V) = 60V

ID = 4.5 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 56mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 77mΩ (VGS = 4.5V)

● P-Channel :

VDS (V) = -60V

ID = -3.2 A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 105mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 135mΩ (VGS = -4.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4612

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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