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AMIS3062XAGEVK

包裝：散裝 功能：電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器，步進(jìn) 類別：開發(fā)板，套件，編程器 評(píng)估和演示板及套件 描述：KIT EVAL AUTO AMIS3062X FAMILY

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BLP3062

BLP3062

BLP3062

BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD.

上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司

C3062

TYPECMP/CL3P

2C187/0.0152BCFLEXOASFLEX

GENERALGeneral Cable Technologies Corporation

通用電氣公司美國通用電氣公司

CEB3062

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,105A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=10V. RDS(ON)=7.5mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEC3062

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,48A,RDS(ON)=6.7mW@VGS=10V. RDS(ON)=8.7mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED3062

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,77A,RDS(ON)=6.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=8.5mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM3062

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,14A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. RDS(ON)=11.5mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP3062

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,105A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=10V. RDS(ON)=7.5mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU3062

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,77A,RDS(ON)=6.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=8.5mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEZC3062

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,48A,RDS(ON)=6.7mW@VGS=10V. RDS(ON)=8.7mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AMIS3062XAGEVK

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    開發(fā)板，套件，編程器 > 評(píng)估和演示板及套件

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    電源管理

  • 功能：

    電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器，步進(jìn)

  • 使用的 IC/零件：

    AMIS3062x

  • 所含物品：

    板

  • 描述：

    KIT EVAL AUTO AMIS3062X FAMILY

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫存,詳
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更多AMIS3062XAGEVK供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-14 23:00:00

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