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AM1214-250中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AM1214-250
廠商型號(hào)

AM1214-250
功能描述

RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS
文件大小

36.45 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 19:02:00
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AM1214-250規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The AM1214-250 is a rugged, Class C common base device designed for new L - Band medium & long pulse radar applications.

Minimal amplitude droop over a long pulse of 500 microsec. is guaranteed by a thermal design incorporating an overlay site-ballasted die geometry.

? REFRACTORY /GOLD METALLIZATION

? EMITTER SITE BALLASTING

? LOW RF THERMAL RESISTANCE

? INPUT/OUTPUT MATCHING

? OVERLAY GEOMETRY

? METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

? POUT = 300 W MIN. WITH 8.0 dB GAIN

? 1215-1400 MHz OPERATION

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    AM1214-250

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
晶致
20+
QFN10
9800
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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M/A-COM專營品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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