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BB179	文件：114.74 Kbytes Page：2 Pages	UHFVARIABLECAPACITANCEDIODE DESCRIPTION TheUTCBB179isaplanartechnologyvariablecapacitancediodeprovidingthedesignersexcellentmatchingperformance,lowseriesresistanceandgreatlinearity. TheUTCBB179issuitableforVCO(VoltageControlledOscillators)andElectronictuninginUHF(VeryHighFrequency)tun	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
BB179	文件：48.13 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB179isaplanartechnologyvariablecapacitancediode,inaSOD523(SC-79)package.Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure. FEATURES ?Excellentlinearity ?Excellentmatchingto2DMA ?Ultrasmallplastic	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BB179	文件：140.14 Kbytes Page：2 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB179isaplanartechnologyvariablecapacitancediode,inaSOD523(SC-79)package.Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure. FEATURES ?Excellentlinearity ?Excellentmatchingto2DMA ?Ultrasmallplastic	LRCLeshan Radio Company 樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司	LRC
BB179	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BB179B	文件：136.37 Kbytes Page：2 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB179Bisaplanartechnologyvariablecapacitancediode,inaSOD523(SC-79)package.Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure. FEATURES ?Excellentlinearity ?Excellentmatchingto2DMA ?Ultrasmallplasti	LRCLeshan Radio Company 樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司	LRC
BB179B	文件：48.13 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB179Bisaplanartechnologyvariablecapacitancediode,inaSOD523(SC-79)package.Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure. FEATURES ?Excellentlinearity ?Excellentmatchingto2DMA ?Ultrasmallplasti	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BB179B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BB179B	文件：59.37 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司	JMNIC
BB179BLX	文件：57.47 Kbytes Page：7 Pages	UHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB179BLXisaplanartechnologyvariablecapacitancediodeinaSOD882TultrasmallleadlessplasticSMDpackage.TheexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandaDirectMatchingAssembly(DMA)procedure. Features ■Excellentlinearity ■Excellen	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BB179BLX	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BB179LX	文件：48.9 Kbytes Page：7 Pages	UHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB179BLXisaplanartechnologyvariablecapacitancediodeinaSOD882TultrasmallleadlessplasticSMDpackage.TheexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandaDirectMatchingAssembly(DMA)procedure. Features ■Excellentlinearity ■Excellen	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BB179LX	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC179	文件：225.47 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR THEABOVETYPESAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFSMALLSIGNALAMPLIFIERSTAGESANDDIRECTCOUPLEDCIRCUITS.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC179	文件：269.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS PNPSiliconTransistors BC177,BC178,andBC179areepitaxialPNPsiliconplanartransistorsinTO18case(18A3DIN41876).Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.ThetransistorsareparticularlysuitableforuseinAFinputdriverstages.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BC179	文件：25.33 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSE	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BC179	文件：164.7 Kbytes Page：3 Pages	THEABOVETYPESAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFSMALLSIGNALAMPLIFIERSTAGESANDDIRECTCOUPLEDCIRCUITS THEABOVETYPESAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFSMALLSIGNALAMPLIFIERSTAGESANDDIRECTCOUPLEDCIRCUITS.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BC179	文件：151.05 Kbytes Page：3 Pages	LOWNOISEGENERALPURPOSEAUDIOAMPLIFIERS LOWNOISEGENERALPURPOSEAUDIOAMPLIFIERS TheBC177,BC178andBC179aresiliconplanarepitaxialPNPtransistorsmountedinTO-18metalpackage. Theyaresuitableforuseindriveaudiostages,low-noiseinputaudiostagesandaslowpower,highgaingeneralpurposetransistors. Complianceto	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BC179	文件：95.12 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC179	文件：248.37 Kbytes Page：3 Pages	THEABOVETYPESAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFSMALLSIGNALAMPLIFIERSTAGESANDDIRECTCOUPLEDCIRCUITS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BC179	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類(lèi)制造商	ETC

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更多AM-179供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 14:32:00

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