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BF888	文件：508.07 Kbytes Page：5 Pages	HighPerformanceBipolarNPNRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGY888	文件：55 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION Hybridhighdynamicrangeamplifiermoduleoperatingwithavoltagesupplyof24VinaSOT115Jpackage.Thehighgainmoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascodeconfiguration. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Highgain ?Excellentreturnlosspr	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGY888	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BLF888	文件：173.97 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BLF888	文件：435.75 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A500WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrialapplications.Thetransistorisoptimizedfordigitalapplicationsandcandeliver110WaverageDVB-TbroadbandoverthefullUHFbandfrom470MHzto860MHz.Theexcellentruggednessof	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
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BLF888A	文件：443.34 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrialapplications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitterapplications. Featuresandbenefits ■Excellentruggedness(VSWR≥40:1througha	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BLF888A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp

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