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零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
AM3400	文件：486.36 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION VDS=30V 12V ID(A)=5.8A R DS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM3400A	文件：730.09 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET30VN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION AM3400AistheN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM3400N	文件：345.16 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel200-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AML3400	文件：494.95 Kbytes Page：2 Pages	HIGHDEFINITIONTOTALSOLUTIONHDA/VPROCESSOR [AmlogicInc.] HIGHDEFINITIONTOTALSOLUTIONHDA/VPROCESSOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
AMS3400SRG	文件：671.99 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) DESCRIPTION TheAMS3400SRGistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. Thishigh-densityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageap	AMS Advanced Monolithic Systems	AMS
AN3400	文件：4.45032 Mbytes Page：78 Pages	AnalysisandsimulationofaBJTcomplementarypairinaself-oscillatingCFLsolution	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
AO3400	文件：110.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3400usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3400isPb-free(meetsROHS&Sony259spec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO3400	文件：1.85432 Mbytes Page：3 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET 30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=30V RDS(ON),Vgs@10V,Ids@5.8A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
AO3400	文件：1.12086 Mbytes Page：4 Pages	N-Channelenhancementmodefieldeffecttransistor ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=5.8A(VGS=10V) ●RDS(ON)28m(VGS=10V) ●RDS(ON)33m(VGS=4.5V) ●RDS(ON)52m(VGS=2.5V)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
AO3400	文件：776.06 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage Descriptions N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features VDS(V)=30V ID=5.8A(VGS=10V) RDS(ON)	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
AO3400	文件：477.74 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO3400	文件：1.02695 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO3400	文件：1.58615 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS(V)=30V ID=5.8A(VGS=10V) RDS(ON)m(VGS=10V) RDS(ON)3m(VGS=4.5V) RDS(ON)52m(VGS=2.5V)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
AO3400	文件：1.32943 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS(V)=30V ID=5.8A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
AO3400A	文件：279.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3400AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3400AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Features ?VDS(V)=30V ?	ALPHA Alpha Industries	ALPHA
AO3400A	文件：476.66 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO3400A	文件：753.91 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO3400AcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Productsummary VDS30V ID(atVGS=10V)5.7A RDS(ON	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3400A	文件：1.90137 Mbytes Page：4 Pages	N-Channelenhancementmodefieldeffecttransistor ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=5.7A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
AO3400A	文件：914.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheAO3400AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=5.8A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
AO3400A	文件：1.30392 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode Features VDS(V)=30V ID=5.8A(VGS=10V) RDS(ON)27m(VGS=10V) RDS(ON)31m(VGS=4.5V) RDS(ON)48m(VGS=2.5V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)	UMW

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詳細參數(shù)

型號：
AL3400
制造商：
ARISTOS

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更多AL3400供應(yīng)商更新時間2024-10-25 17:51:00

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