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AFGY100T65SPD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

AFGY100T65SPD參考圖片

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原廠料號(hào)：AFGY100T65SPD品牌：ON Semiconductor

全新原裝假一賠十

AFGY100T65SPD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON Semiconductor/onsemi生產(chǎn)封裝SMD/TO-247-3的AFGY100T65SPD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    AFGY100T65SPD

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    252.91 kb

  • 資料說明：

    Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 100A, 650V

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AFGY100T65SPD

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.05V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    5.1mJ（開），2.7mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    36ns/78ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，100A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    上海意淼電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機(jī)：

    13681678667

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    021-61316768

  • 傳真：

    021-61316867/021-64560311

  • 地址：

    上海市寶山區(qū)大場(chǎng)鎮(zhèn)錦秋路699弄錦秋花園

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