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ADM200N04G中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ADM200N04G
廠商型號

ADM200N04G

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

絲印標識

ADM200N04G

封裝外殼

TO-263-2

文件大小

1.48695 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

ADV愛德微

中文名稱

愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 19:10:00

ADM200N04G規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Lead-Free,RoHS Compliant

Description:

The ADM200N04G series MOSFETs is a new technology, which combines an innovative super junction technology and advance process. This new technology achieves low Rdson, energy saving, high reliability and uniformity, superior power density and space saving.

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