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AD648SQ	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648SQ/883B	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648T	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ARF648	文件：80.72 Kbytes Page：4 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE Repetitivevoltageupto2500V Meanforwardcurrent2510A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BD648	文件：114.77 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD648	文件：94.37 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD648	文件：108.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD648	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BD648	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BD648	文件：452.78 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649ANDBD651 ?62.5Wat25°CCaseTemperture ?8AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof750at3V,3A	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BD648	文件：150.96 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD648	文件：369.32 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD648	文件：95.95 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD648	文件：111.79 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD648F	文件：279.76 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
C648	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C648	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CN648	文件：73.86 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONGENERALPURPOSEDIODE	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CN648	文件：73.86 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONGENERALPURPOSEDIODE DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORCN645SeriestypesareGlassPassivatedJunctiongeneral-purposediodes,whicharewellconstructed,highlyreliablecomponentsdesignedforuseinalltypesofcommercial,industrial,entertainment,computerandautomotiveapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CWST648	文件：127.82 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AD648SQ
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
LOW POWER DUAL OP AMP IC - Bulk
制造商：
Analog Devices

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	AD648SQ	ADI			726222	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	AD648SQ	ADI/亞德諾	23+	DIP-8	66800	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！	詢價(jià)
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更多AD648SQ供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 17:08:00

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