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AC193K	文件：566.92 Kbytes Page：4 Pages	GERMANIUMSMALLSIGNALTRANSISTORS [GermaniumPowerDevicesCorporation] GERMANIUMSMALLSIGNALTRANSISTORS PROELECTRONTYPES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
ADXL193	文件：180.46 Kbytes Page：12 Pages	Single-Axis,High-g,iMEMSAccelerometers GENERALDESCRIPTION TheADXL193isalowpower,completesingle-axisaccelerometerwithsignalconditionedvoltageoutputsthatareallonasinglemonolithicIC.Thisproductmeasuresaccelerationwithafull-scalerangeof±120gor±250g(minimum).Itcanalsomeasurebothdynamicaccelerat	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AS193I-BK	文件：532.47 Kbytes Page：1 Pages	NECLCD19DesktopDisplay	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AXP193	文件：1.12122 Mbytes Page：51 Pages	EnhancedsingleCellLi-BatteryandPowerSystemManagementIC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BFG193	文件：48.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFG193	文件：59.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFG193	文件：73.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BFG193	文件：185.15 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFG193	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：60.24 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFP193	文件：78.73 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：78.91 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：549.81 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193T	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193T	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193TRW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193TRW	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193TW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193TW	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193W	文件：59.92 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS

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晶體管資料

型號(hào)：
AC193(-7...-9)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Ge-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_輸出極（E）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
32V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
AC128,AC153,AC188,
最大耗散功率：
1W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
C-18
vtest：
32
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
上海金慶電子技術(shù)有限公司	AC1-A0-03-630-131-C	CarlingTechnologies	新		36	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	AC1-A0-03-630-131-C	Carling Technologies	2022+		32	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司	AC1-B1-10-610-233C	AC1-B1-10-610-233C		3	3		詢價(jià)
深圳市勝彬電子有限公司	AC1-C-3001	NEC	22+	DIP28	8000	原裝正品支持實(shí)單	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	AC1F2Q		23+	to-92	36589	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳	詢價(jià)
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更多AC193(-7...-9)供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 16:06:00

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