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FCH30B10

SchottkyBarrierDiode

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

P30B10EL

PowerMOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

P30B10EL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

P30B10EL

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

TCH30B10

SchottkyBarrierDiode

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

TCH30B10

ScokktyBarrierDiode

SBD 30AAvg.100Volts

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    AB30B10

  • 制造商:

    Honeywell Sensing and Control

  • 功能描述:

    PROXIMITY SWITCH M30

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
OKITA
22+
SOP4
20000
深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價格可談
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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原裝現(xiàn)貨
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更多AB30B10供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 14:51:00