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AA1L3M	文件：83.54 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUND TRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?ComplementarytransistorwithAN1L3M	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AA1L3M	文件：238.36 Kbytes Page：6 Pages	on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?ComplementarytransistorwithAN1L3M	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
AA1L3N	文件：245.81 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=10k?) ?ComplementarytransistorwithAN1L3N	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
AA1L3N	文件：91.21 Kbytes Page：4 Pages	On-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=10k?) ?ComplementarytransistorwithAN1L3N	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AA1L3Z	文件：119.94 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1L3Zisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AB1L3N	文件：85.06 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?Currentdriveavailableupto0.7A ?On-chipbiasresistor ?Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
ADSP-H1L3	文件：181.74 Kbytes Page：10 Pages	1.0??SingleDigitPCBBasedLEDDisplay	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
AN1L3M	文件：83.87 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?ComplementarytransistorwithAA1L3M	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AN1L3M	文件：238.61 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?ComplementarytransistorwithAA1L3M	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
AN1L3N	文件：237.58 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=10k?) ?ComplementarytransistorwithAA1L3N	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
AN1L3N	文件：82.9 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=10k?) ?ComplementarytransistorwithAA1L3N	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AN1L3Z	文件：120.06 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1L3Zisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AP1L3N	文件：84.58 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?Currentdriveavailableupto0.7A ?On-chipbiasresistor ?Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AR1L3N	文件：96.56 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?HighcurrentdrivessuchasICoutputandactuatoravailable ?On-chipbiasresistor ?Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
BA1L3M	文件：244.85 Kbytes Page：6 Pages	CMPOUNDTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BA1L3M	文件：90.21 Kbytes Page：4 Pages	On-chipresistorNPNSiliconEpitaxialTransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?ComplementarytransistorwithBN1L3M	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
BA1L3N	文件：238.88 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) ?ComplementarytransistorwithBN1L3N	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BA1L3N	文件：84.24 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=4.7k?,R2=10k?) ?ComplementarytransistorwithBN1L3N	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
BA1L3Z	文件：124.65 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBA1L3Zisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
BB1L3N	文件：104.63 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTORon-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching TheBB1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplianc	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC

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晶體管資料

型號(hào)：
AA1L3M
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+R
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
DTC143ES,RN1001,UN421L,2SC4363,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.25

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AA1L3M
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
COMPOUND TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	AA1L3M	NEC	2023+	5000	8700	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	AA1L4L	NEC	24+		6025		詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	AA1L4M	NEC	23+		2800	正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803	詢價(jià)
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更多AA1L3M供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 18:40:00

晶體管資料

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