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A5G35S004NT6

Airfast RF Power GaN Transistor

ThisRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof3300to4300MHz. Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexitylinearizationsystems ?Universalbroadbanddriver ?Optimiz

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35S004NT6

Airfast RF Power GaN Transistor

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35S004NT6

Package：6-LDFN 裸露焊盤(pán)；包裝：散裝 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A5G35S004NT6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 頻率：

    3.3GHz ~ 4.3GHz

  • 增益：

    16.9dB

  • 功率 - 輸出：

    24.5dBm

  • 封裝/外殼：

    6-LDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-PDFN（4x4.5）

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多A5G35S004NT6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 13:02:00

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