首頁(yè)>熱銷(xiāo)型號(hào)第157頁(yè)>A3G26H350W17SR3>詳情

A3G26H350W17SR3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號(hào)：A3G26H350W17SR3品牌：NXP USA Inc.

資料說(shuō)明：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

A3G26H350W17SR3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝NI-780S-4S2S的A3G26H350W17SR3晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    a3g26h350w17sr3

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  • 資料說(shuō)明：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A3G26H350W17SR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 頻率：

    2.496GHz ~ 2.69GHz

  • 增益：

    13.3dB

  • 功率 - 輸出：

    59W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S-4S2S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S-4S2S

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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