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A3G18H500-04SR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A3G18H500-04SR3
廠商型號

A3G18H500-04SR3

參數(shù)屬性

A3G18H500-04SR3 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L

功能描述

RF Power GaN Transistor

封裝外殼

NI-780S-4L

文件大小

305.26 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-20 11:26:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A3G18H500-04SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    15.4dB

  • 功率 - 輸出:

    107W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-4L

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP USA Inc.
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NI-780S-4L
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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